SK하이닉스, HBM4E 첫 공급… AI 메모리 패권 경쟁 한발 더 앞섰다

2026년 06월 18일 굿퓨처데일리 서정원 기자

차세대 AI 메모리 HBM4E 12단 샘플 주요 고객사 공급 시작
데이터 처리 속도·전력 효율 동시 향상… AI 데이터센터 성능 혁신 기대
엔비디아·빅테크 AI 인프라 경쟁 속 HBM 시장 지배력 강화

SK하이닉스가 차세대 인공지능(AI) 메모리인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 공급하며 글로벌 AI 반도체 시장 주도권 확보에 다시 한 걸음 다가섰다. 생성형 AI와 초거대 AI 모델 경쟁이 격화되는 가운데 AI 인프라의 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM) 기술 경쟁에서도 선두 자리를 더욱 공고히 하는 모습이다.

SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 제품인 HBM4E 12단 샘플을 고객사들에 공급했다고 밝혔다. HBM4E는 현재 양산 중인 HBM4의 후속 제품으로 성능과 전력 효율을 동시에 개선한 차세대 메모리다.

이번 제품은 핀(Pin)당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했다. 이는 AI 학습과 추론 과정에서 요구되는 방대한 데이터를 더욱 빠르게 처리할 수 있다는 의미다. 특히 에너지 효율도 20% 이상 향상돼 전력 소비가 급증하는 AI 데이터센터 운영 부담을 크게 줄일 수 있을 것으로 기대된다.

AI 산업이 발전할수록 HBM의 중요성은 더욱 커지고 있다. 생성형 AI 서비스의 핵심인 대규모언어모델(LLM)은 수조 개의 연산을 실시간으로 수행해야 하는데, 이를 위해서는 GPU와 함께 초고속 데이터 전송이 가능한 메모리가 필수적이다. 현재 엔비디아, AMD, 구글, 마이크로소프트, 아마존 등 글로벌 AI 기업들이 HBM 확보 경쟁에 나서는 이유도 여기에 있다.

이번 HBM4E에는 SK하이닉스의 핵심 적층 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정이 적용됐다. 이를 통해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했으며 구조적 안정성과 열 관리 성능도 크게 향상됐다. 특히 열 저항을 기존 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 AI 서버 환경에서도 안정적인 작동이 가능하도록 설계됐다.

AI 반도체 시장에서 발열 문제는 성능만큼 중요한 요소로 꼽힌다. AI 모델 규모가 커질수록 연산량과 전력 소비가 증가하면서 서버 내부 온도 관리가 핵심 경쟁력으로 떠오르고 있기 때문이다. SK하이닉스는 이번 기술 개선을 통해 성능과 안정성을 동시에 확보했다는 평가를 받고 있다.

업계에서는 이번 HBM4E 공급이 단순한 신제품 출시 이상의 의미를 가진다고 분석한다. 현재 AI 반도체 시장은 엔비디아를 중심으로 폭발적으로 성장하고 있으며, HBM은 AI 시스템 성능을 결정하는 핵심 부품으로 자리 잡았다. 사실상 AI 시대의 ‘원유’와 같은 전략 자산으로 평가받고 있는 것이다.

SK하이닉스는 이미 HBM3와 HBM3E 시장에서 높은 점유율을 확보하며 AI 메모리 시장의 강자로 부상했다. 특히 엔비디아의 주요 AI 가속기에 HBM을 공급하며 시장 영향력을 확대해 왔다. 삼성전자와 미국 마이크론도 추격에 나서고 있지만 기술 완성도와 공급 안정성 측면에서 SK하이닉스가 우위를 유지하고 있다는 평가가 나온다.

이번 HBM4E 샘플 공급은 향후 본격 양산과 고객사 인증 과정의 시작점이기도 하다. AI 데이터센터 투자가 전 세계적으로 확대되고 있는 만큼 차세대 HBM 수요 역시 급증할 것으로 예상된다.

전문가들은 향후 AI 산업 경쟁력의 핵심이 반도체, 특히 HBM 공급 능력에서 결정될 가능성이 높다고 보고 있다. 실제로 글로벌 빅테크 기업들이 AI 데이터센터 구축 경쟁에 수십조 원을 투자하고 있는 가운데 HBM 공급 부족은 산업 전체의 성장 속도를 좌우하는 변수로 떠오르고 있다.

결국 이번 HBM4E 공급은 SK하이닉스가 단순한 메모리 제조업체를 넘어 AI 시대 핵심 인프라 기업으로 진화하고 있음을 보여주는 사례다. AI 혁명이 가속화될수록 HBM 시장을 선점한 기업의 전략적 가치도 더욱 높아질 것으로 전망된다.

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