SK하이닉스, 업계 최초 ‘High-K EMC’ 적용 고방열 모바일 D램 양산…스마트폰 성능·수명↑

• 열전도도 3.5배 향상, 열 저항 47% 개선
• 플래그십 스마트폰 발열 문제 해결…온디바이스 AI 최적화
• 배터리 지속 시간·제품 수명 연장 효과 기대

SK하이닉스가 업계 최초로 ‘High-K EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)’ 소재를 적용한 고방열 모바일 D램 공급을 시작했다. EMC는 반도체를 밀봉·보호하면서 동시에 열을 방출하는 후공정 필수 소재로, SK하이닉스는 기존 실리카 기반 EMC에 알루미나를 혼합한 신소재를 개발해 열전도 성능을 크게 강화했다.

이번 제품은 기존 대비 열전도도가 3.5배 높아졌으며, D램 패키지 내부의 열 이동 경로에서 열 저항을 47% 줄이는 성과를 거뒀다. 이로써 최신 스마트폰의 발열 문제 해소, 소비 전력 절감, 배터리 지속 시간 및 기기 수명 연장 효과가 기대된다.

특히 최근 플래그십 스마트폰은 AP(애플리케이션 프로세서) 위에 D램을 쌓는 PoP(패키지온패키지) 구조를 채택하고 있다. 이 방식은 성능과 공간 효율성을 높이지만, AP 발열이 D램에 누적되는 문제를 안고 있었다. SK하이닉스는 이번 High-K EMC 기반 제품으로 이러한 한계를 극복했다고 설명했다.

이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어, 고성능 스마트폰 사용자들이 겪는 발열 불편을 해소하는 데 의미가 크다”며 “소재 기술 혁신을 바탕으로 차세대 모바일 D램 시장에서 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 밝혔다.

업계에서는 이번 기술이 온디바이스 AI 확산과 플래그십 스마트폰 고성능화 흐름 속에서 글로벌 모바일 메모리 시장의 차별화 포인트가 될 것으로 전망한다.

더 좋은 미래를 위한 콘텐츠 플랫폼 – <굿퓨처데일리>